웨이퍼표면연미기,G&P POLI-400 Chemical Mechanical Polishing,CMP System,Semiconductor,MEM
등 록 일
2021-08-07 오후 9:31:19
등 록 인
MAR Tech,마텍
연 락 처
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제품정보 (메이커/스펙/옵션/액세서리/장비상태 등)
화학적 기계적 연마는 물리적 및 화학적 수단을 통해 재료를 부드럽게 제거하여 박막을 평탄화하는 과정입니다. CMP는 클린룸 내부의 후단부에 위치합니다. 4" 웨이퍼(표준 두께 및 400um 두께) 및 일부 조각의 연마가 가능합니다. STI 및 ILD 애플리케이션을 위한 Celexis 및 Klebosol 슬러리를 각각 사용할 수 있습니다.